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Beijing Four Sentences of Heng Qu science and technology Co., Ltd.
北京橫渠四句科技有限公司
揭榜掛帥 | 面向全國發(fā)榜,！北京市開展車規(guī)級芯片科技攻關(guān)“揭榜掛帥”
來源: | 作者:4SHQ | 發(fā)布時間: 636天前 | 5171 次瀏覽 | 分享到:

關(guān)于發(fā)布2023年度車規(guī)級芯片科技攻關(guān)“揭榜掛帥”項目榜單的通知


為保障整車供應(yīng)鏈安全，推動國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展,，市科委,、中關(guān)村管委會，面向國內(nèi)征集車規(guī)級芯片科技攻關(guān)項目,，積極吸引京外相關(guān)行業(yè)的企業(yè)來京落地發(fā)展,，本次征集采用“揭榜掛帥”形式進(jìn)行，現(xiàn)將具體事項通知如下：

一,、組織方式

本批次科技攻關(guān)項目,，由市科委、中關(guān)村管委會按照市政府的工作部署,，梳理行業(yè)共性需求,，凝練形成榜單任務(wù)，向社會發(fā)榜征集揭榜團(tuán)隊,，并對揭榜項目組織評審,，擇優(yōu)予以經(jīng)費支持。

二,、申報要求

1.項目均需由企業(yè)牽頭組成揭榜團(tuán)隊開展“揭榜掛帥”科技攻關(guān),，每個揭榜團(tuán)隊的組成單位原則上不超過4家，允許京外主體報名,，2023年9月30日前完成在京注冊法人單位后立項撥款,。各參與單位需具備完善健全的管理制度，符合《北京市科技計劃項目（課題）管理辦法》（京科資發(fā)〔2023〕43號）有關(guān)要求,，對申報材料的真實性和完整性負(fù)責(zé),，并符合市科委、中關(guān)村管委會的科技信用評價等級要求,，簽訂《承諾書》(附件2),。

2.鼓勵企業(yè)與高校、院所等開展產(chǎn)學(xué)研合作,，組成創(chuàng)新聯(lián)合體開展揭榜攻關(guān),，填報的《項目申報簡表》《項目實施方案》(附件3、4)需對榜單任務(wù)需求全覆蓋,，具有科學(xué),、合理、明確的研究內(nèi)容,、技術(shù)路線及考核指標(biāo),，且應(yīng)用示范具備可行性,、保障性,；經(jīng)費預(yù)算編制應(yīng)當(dāng)真實,、合理，符合《北京市科技計劃項目（課題）經(jīng)費管理辦法》（京財科文〔2021〕1822號）有關(guān)要求,，配套經(jīng)費與市級科技經(jīng)費比例不低于1：1,。

3.揭榜團(tuán)隊對任務(wù)分工、考核要求,、經(jīng)費撥付方式和成果歸屬等進(jìn)行具體約定,，并突出榜單任務(wù)目標(biāo)，集中優(yōu)勢資源,，全力開展限時攻關(guān),；項目任務(wù)執(zhí)行要破除唯論文、唯職稱,、唯學(xué)歷,、唯獎項的傾向，注重標(biāo)志性成果的質(zhì)量,、貢獻(xiàn)和影響力,；揭榜團(tuán)隊設(shè)負(fù)責(zé)人1名，符合《北京市科技計劃項目（課題）管理辦法》（京科資發(fā)〔2023〕43號）有關(guān)要求,。

4.揭榜團(tuán)隊項目攻關(guān)取得的科技成果需在國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心承認(rèn)或指定的整車企業(yè)場景下進(jìn)行測試,；項目綜合績效評價將由市科委、中關(guān)村管委會,，采用第三方評估和測試等方式開展,，如有需要可現(xiàn)場核查；由于主觀不努力等因素導(dǎo)致攻關(guān)失敗的,，將按照有關(guān)規(guī)定嚴(yán)肅追責(zé),，并依規(guī)納入誠信記錄。

5.項目征集結(jié)束后,，市科委,、中關(guān)村管委會將組織專家對申報材料進(jìn)行評審與論證，根據(jù)項目技術(shù)成熟度,、可量產(chǎn)性,、揭榜團(tuán)隊綜合能力、成果指標(biāo)響應(yīng)度等因素,，擇優(yōu)選擇揭榜團(tuán)隊,，明確立項的芯片、項目組織和支持方式,。

6.項目在申報,、評審過程中,，揭榜團(tuán)隊及參與人應(yīng)嚴(yán)格落實公平競爭原則，不得以任何形式探聽其他申報主體及評審專家信息,，不得請托游說評審專家,，不得進(jìn)行可能影響評審公正性的活動。

三,、申報說明

采用網(wǎng)上申報形式,，申報單位填報《項目申報簡表》（附件 3）、《項目實施方案》（附件 4）,，簽訂《承諾書》（附件 2）,，將電子版及帶章掃描版（附件 2 僅提供帶章掃描版）打包發(fā)送至[email protected]（郵件標(biāo)題為“車規(guī)級芯片-任務(wù)名稱-牽頭單位名稱”），發(fā)送后請電話確認(rèn),。申報時間截至2023年4月16日（星期日）14:00,。聯(lián)系人：趙老師、劉老師,，聯(lián)系電話：010—55577792,、010—62328977-6015。


附件：

1.車規(guī)級芯片科技攻關(guān)“揭榜掛帥”項目申報榜單

2.承諾書格式

3.項目申報簡表格式

4.項目實施方案格式

北京市科學(xué)技術(shù)委員會,、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會

2023年3月27日


附件1


車規(guī)級芯片科技攻關(guān)“揭榜掛帥”項目申報榜單
一
需求目標(biāo)

為保障整車供應(yīng)鏈安全,，推動國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，市科委,、中關(guān)村管委會圍繞國產(chǎn)車規(guī)級芯片搭載應(yīng)用,，按照“揭榜掛帥”組織形式，面向各類創(chuàng)新主體征集科研攻關(guān)項目,，現(xiàn)發(fā)布2023年度車規(guī)級芯片科技攻關(guān)“揭榜掛帥”項目申報榜單,。揭榜團(tuán)隊可以選擇榜單中的一種或多種芯片任務(wù)進(jìn)行揭榜。

二
基本功能性能,、封裝形式,、交付物、項目周期要求
01
MCU類 新一代車雙內(nèi)核異構(gòu)中央網(wǎng)關(guān)控制MCU芯片

功能性能：

新一代車內(nèi)中央網(wǎng)關(guān)設(shè)計的高性能車規(guī)級汽車芯片,，采用雙內(nèi)核異構(gòu)設(shè)計,，包含高性能Cortex-A55 CPU內(nèi)核及雙核鎖步的高可靠Cortex-R5內(nèi)核，在承載未來網(wǎng)關(guān)豐富的應(yīng)用同時,，也能滿足高功能安全級別和高可靠性的要求,。支持多種外設(shè)接口，包括PCIe,、USB3.0接口,，同時具有豐富的以太網(wǎng)，CAN-FD和LIN等傳輸接口,。在此基礎(chǔ)上,，具有包處理引擎, 在非常低的CPU占用率的情況下,，可實現(xiàn)不同接口之間的高流量、低延遲的數(shù)據(jù)交換,。內(nèi)置HSM,，包含真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器和高性能加解密引擎，支持AES,、RSA,、ECC,、SHA及多種國密算法,，滿足安全啟動，OTA,、V2X等多種未來車載安全應(yīng)用的需求,。可以支持創(chuàng)新的跨域融合解決方案,，為客戶提供面向未來中央計算平臺的無縫銜接,。

A核數(shù)：≥6個A55（或等效算力） 二級緩存≥ 128KB

A核主頻：每個核主頻≥ 1.4GHz

A核算力：≥20K DMIPS

實時核架構(gòu)：3個實時核鎖步

實時核主頻：每個核主頻≥ 600M

最大實時核心數(shù)：每個核獨立算力≥1.6K DMIPS

SRAM：≥8M

Memory(DDR)：≥4GB LPDDR4/DDR3L

CAN(CAN-FD)：≥20路

LIN：≥10路

PCIe 3.0：≥2路

USB：≥1個3.0接口

SPI：≥8路

ADC：≥4路12bit

UART：≥2路

Ethernet：支持不少于2個以太網(wǎng)端口（MII/RGMII）、 支持TSN協(xié)議族（IEEE 802.1AS,、802.1Qbu,、802.1Qav）

支持OSPI FLASH/QSPI FLASH啟動。

支持EMMC啟動,。

支持HSM,。

封裝形式：BGA(尺寸不大于22mm(長)* 22mm(寬)* 4mm(高))

功能安全等級：ASIL-B

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C ~ +105°C）。

交付物：滿足考核指標(biāo)的用量500片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊,、用戶手冊、功能安全手冊,、底層軟件,、中間件接口）和評估板。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告,。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥20片工程樣品（Engineer Sample）及底層軟件,、中間件接口的交付。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告,。

榜單金額：不超過650萬元。

02
MCU類 一種通用性車規(guī)級MCU

功能性能：

該產(chǎn)品具有豐富的Flash容量和接口資源,，符合ISO26262功能安全ASIL-B,，支持AUTOSAR并提供MCAL及配置工具，支持SHE,，支持加密通信,，支持RTC,，支持浮點單元，支持OTA升級,。

算力：≥400DMIPS

主頻：≥120MHz

DMA channels: ≥32

PFlash：≥2048KB

DFlash：≥128KB

SRAM：≥256KB

PWM定時器：≥6路

CAN（CAN-FD）：≥4路

LIN：≥4路

SPI：≥3路

I2C：≥1個

ADC：≥48-ch.12bit

GPIO: ≥100

電源供電：2.7V ~ 5.5V

休眠電流：≤200mA(可喚醒)

正常工作電流：≤50mA,。

封裝形式：LQFP 144

功能安全等級：ASIL-B

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C ~ +125°C）。

交付物：滿足考核指標(biāo)的用量500片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊,、用戶手冊、功能安全手冊）和評估板,。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告,。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥20片工程樣品（Engineer Sample）及底層軟件交付。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告,。

榜單金額：不超過400萬元。

03
 模擬類 一種具有自適應(yīng)多級 MOSFET 柵極控制H橋驅(qū)動芯片

功能性能：

8路 MOSFET橋,，驅(qū)動器可以驅(qū)動多達(dá) 16 個外部 n 溝道 MOSFET（8通道半橋預(yù)驅(qū)）,，支持電源防反功能，提供輸出過流,、開路,、短電源、短地診斷功能,。

自適應(yīng)多級 MOSFET 柵極控制,，具有2 個可配置增益的靈活電流檢測放大器（低側(cè)、高側(cè)能力和雙向）24 位串行外設(shè)接口,，用于反向電池保護(hù)的集成雙級泵,，用于硬短路檢測的漏源監(jiān)測，用于軟短路檢測的電流檢測監(jiān)控,，過溫警告和關(guān)機(jī),，超時看門狗，通過 SPI 進(jìn)行詳細(xì)的斷態(tài)診斷（負(fù)載開路,、電池短路或 GND 短路）,，3 x PWM 輸入（高達(dá) 25kHz），能夠續(xù)流,、睡眠模式低電流消耗,。

正常工作的電源電壓范圍：6.0V ~ 28V

擴(kuò)展電源電壓范圍：5.5V ~ 28V

電源電壓瞬變轉(zhuǎn)換率：上升/下降速率不低于10V/μs

邏輯電源電壓：3.0V ~ 5.5V

結(jié)溫(Tj) ：-40°C ~ +150°C

絕對最大額定值:

電源電壓：-0.3V ~ 40V

PWM輸入電壓：-0.3V ~ 40V

邏輯輸入電壓：-0.3V ~ vdd+0.3V

電流檢測放大器的同相輸入、反相輸入電壓：-0.8V ~ 8V

柵極驅(qū)動器動態(tài)預(yù)充電時間：150ns ~ 250ns

柵極驅(qū)動器動態(tài)預(yù)放電時間：150ns ~ 250ns

封裝形式：QFN-48

功能安全等級：QM

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C~+125°C）,。

交付物：滿足考核指標(biāo)的用量1000片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊、用戶手冊、功能安全手冊）,、評估板以及相關(guān)軟件驅(qū)動,。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程樣品（Engineer Sample）及相關(guān)軟件驅(qū)動交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告。

榜單金額：不超過400萬元,。

04
模擬類 具有大驅(qū)動帶診斷和嵌入式保護(hù)功能的高邊開關(guān)芯片

功能性能：

單通道高邊驅(qū)動,，具有診斷和嵌入式保護(hù)功能的高邊開關(guān)。VS具有欠壓檢測功能,。支持過流保護(hù)功能,。

工作電壓（MOS開啟電壓）VS(OP)：≥4.1 V

工作電壓（啟動）VS(UV)：≥3.1 V

工作電壓VS：≤28 V

過電壓保護(hù) VDSCLAMP：≥35 V

休眠模式下的電流 (TJ = 85 °C) IVS：≤0.6 μA

最大工作電流 IGND：4 mA

最大導(dǎo)通電阻 (TJ = 150 °C) RDSON：2.47 mΩ

標(biāo)稱負(fù)載電流 (TA = 85 °C) IL(NOM)：30 A

結(jié)溫(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封裝形式：TSDSO-24

功能安全等級：QM

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C ~ +125°C）。

交付物：滿足考核指標(biāo)的用量1000片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊,、用戶手冊,、功能安全手冊）,。評估板以及相關(guān)軟件驅(qū)動。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告,。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程樣品（Engineer Sample）及相關(guān)軟件驅(qū)動交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告,。

榜單金額：不超過400萬元,。

05
模擬類 帶電流檢測模擬反饋單通道高邊驅(qū)動芯片

功能性能：

單通道智能高邊驅(qū)動器，帶電流檢測模擬反饋,、非常低的待機(jī)電流,、兼容 3.0 V 和 5 V CMOS診斷功能過載和對地短路（電源限制）指示熱關(guān)斷指示，OFF 狀態(tài)開路負(fù)載檢測,、輸出對 VCC 檢測短路,、感應(yīng)啟用/禁用、保護(hù)支持欠壓關(guān)斷,、過壓鉗位,、負(fù)載電流限制。

瞬態(tài)電源電壓VCC：≤40 V

工作電壓范圍VCC：4 V~ 28 V

導(dǎo)通電阻（每通道）RON：≤4 mΩ

待機(jī)電流（最大值）ISTBY：0.5 μA

標(biāo)稱負(fù)載電流 (TA = 85 °C) IL(NOM)：15A,。

結(jié)溫(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封裝形式：TSDSO-24

功能安全等級：QM

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C~+125°C）,。

交付物：滿足考核指標(biāo)的用量1000片樣片，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊,、用戶手冊,、功能安全手冊）。評估板以及相關(guān)軟件驅(qū)動。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告,。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程樣品（Engineer Sample）及相關(guān)軟件驅(qū)動交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告,。

榜單金額：不超過200萬元,。

06
模擬類 可配置的多通道高/低邊驅(qū)動芯片

功能性能：

一種汽車專用繼電器、LED驅(qū)動芯片,，具有2路固定的高邊驅(qū)動器和6個路高邊,、低邊可配置的驅(qū)動器。支持阻性,、感性和容性負(fù)載接入,。支持接地短路、負(fù)載開路,、過流,、過熱檢測診斷與保護(hù)。8路驅(qū)動器支持SPI對通道獨立管理配置,，預(yù)留2路并行GPIO通道,，用于冗余SPI總線和配置控制使用。

邏輯電路電源支持 3.3 V 和 5 V,、VBATT 和漏極引腳上具有反向電池保護(hù),，無需外部保護(hù)、SPI接口支持菊花鏈鏈接,。

啟動電壓VBAT：6V ~ 28V
    邏輯電源電壓：3.3V/5V

休眠電流：≤0.2mA

導(dǎo)通電阻（每通道）RON：≤0.75Ω（25℃）,、≤1.5Ω（150℃）

驅(qū)動電流（每通道）：≥500mA

支持2路PWM，頻率1kHz

結(jié)溫(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封裝形式：SSOP24

功能安全等級：QM

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C ~ +125°C）

交付物：滿足考核指標(biāo)的用量1000片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊,、用戶手冊、功能安全手冊）,。評估板以及相關(guān)軟件驅(qū)動,。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程樣品（Engineer Sample）及相關(guān)軟件驅(qū)動交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告。

榜單金額：不超過200萬元,。

07
模擬類 8通道完全可配置高/低側(cè) MOSFET 預(yù)驅(qū)動芯片

功能性能：

一種適用于12 V 和 24 V 系統(tǒng)中的預(yù)驅(qū)動器芯片,，該芯片最多支持8路通道，可通過SPI總線對每路通道進(jìn)行高邊或低邊的功能配置,，達(dá)到對MOSFET控制目的,。配置高邊預(yù)驅(qū)動需要支持N溝道、P溝道MOS，低邊預(yù)驅(qū)動需要支持N溝道MOS,，可配置為2個H橋,、峰值和保持支持2個負(fù)載。

獨立64個可編程過流閾,，可實現(xiàn)對柵極充電/放電電流調(diào)節(jié),。支持外部MOS漏極至源極電壓、過流檢測,、支持外部分流電阻上的電壓檢測功能,。每個通道值、過流情況下超快速輸出關(guān)斷功能,，支持獨立可配置PWM即使在診斷讀取期間發(fā)生故障,，鎖存故障信息。

支持H橋配置的電流限制,，32位SPI協(xié)議可用于配置和診斷,，提供可配置的通信檢查(CC)看門狗定時器。支持菊花鏈操作,、 過壓保護(hù),、用于邏輯操作的內(nèi)置自檢、提供可配置的通信檢查 (CC) 看門狗定時器,。通過專用 SPI 寄存器進(jìn)行高度冗余的輸出監(jiān)控,，利用 ADC鏈路可以通過 SPI 進(jìn)行電源和芯片溫度測量。

正常工作電壓范圍：3.8V ~ 36V

極限工作電壓范圍：1V ~ 80V

邏輯電源電壓：3.3V/5V

極限邏輯電源電壓：-0.3V ~ 40V

輸出預(yù)驅(qū)動器電壓VSNGP,、VGNSP、VDRN（每通道）：-14 V ~ 60V

電壓瞬變轉(zhuǎn)換率：上升/下降速率≥5V/μs  

PWM頻率（每通道）：≥1.5MHz

PWM占空比（每通道）：可配置

上電系統(tǒng)響應(yīng)時間：100ns ~ 700ns

POR 復(fù)位延遲時間：10ms ~ 40ms

SPI總線速率：≥10MHz

封裝形式：TQFP64

功能安全等級：ASIL-B

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C ~ +125°C）,。

交付物：滿足考核指標(biāo)的用量1500片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊、用戶手冊,、功能安全手冊及相關(guān)驅(qū)動）,。評估板。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告,。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程樣品（Engineer Sample）及相關(guān)軟件驅(qū)動交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告,。

榜單金額：不超過500萬元,。

08
 模擬類 全面保護(hù)的低邊驅(qū)動器芯片

功能性能：

具有靜電防護(hù)、過壓鉗位,、熱關(guān)斷,、電流和功率限制。

漏極電流：≥3.5A

待機(jī)電流：≤3mA（125℃）

工作電源電壓：3.5V ~ 5.5V

導(dǎo)通電阻Ron：≤32mΩ

漏源鉗位電壓：41V ~ 52V

漏源鉗位閾值電壓：≥36V

結(jié)溫(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封裝形式：SOP-8

功能安全等級：QM

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C~+125°C）。

交付物：提交滿足考核指標(biāo)的用量1500片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊,、用戶手冊、功能安全手冊）和評估板,。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告,。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程樣品（Engineer Sample）及相關(guān)軟件驅(qū)動交付。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告,。

榜單金額：不超過200萬元。

09
 模擬類 電子駐車制動的電子雙路H橋預(yù)驅(qū)動器

功能性能：

    內(nèi)置集成2個高邊和低邊柵極預(yù)驅(qū)動器,，可支持外接4個功率MOSFET,并可以通過SPI總線進(jìn)行獨立可編程與監(jiān)控,。內(nèi)置集成6個具有低偏移量、高精度增益全差分放大器,，對HS/LS電流源進(jìn)行監(jiān)控,。在PWM模式控制下可通過漏源和柵源電壓監(jiān)控來防止過流。內(nèi)置不低于6個獨立的ADC通道用于電機(jī)電流和電壓的測量,。具有自帶CRC功能的SPI總線管理通道,，帶寬32bit速率10MHz。支持冗余電源A/B電源輸入,，并對獨立電源域進(jìn)行監(jiān)控,。支持4個通用I/O(GPIO)，支持9個軟件可配置GPIO完成輸入/輸出通用I/O(喚醒源輸出,、故障輸出等),。支持看門狗功能并且定時器可配，支持防反接保護(hù),、支持喚醒,。

    系統(tǒng)輸入電壓范圍：3.3V ~ 40V

    系統(tǒng)輸入電容范圍：≤10 F

    系統(tǒng)休眠模式下，喚醒電流范圍：10 A（環(huán)境溫度-25℃）,，100 A（環(huán)境溫度-105℃）

    冗余邏輯供電：

        邏輯輸入3.3V電壓范圍：2.5V ~ 3.5V

        邏輯I/O( 邏輯輸入,、輸出)3.3V電流范圍：≤4mA

        邏輯輸入5V電壓范圍：4.7V ~ 5.3V

    故障診斷：

        系統(tǒng)欠壓臨界電壓范圍：5.35V ~ 5.6V

        系統(tǒng)欠壓遲滯電壓范圍：10mV ~ 100mV（典型值50mV）

        欠壓報故障濾波時間：20s ~ 47s/1ms ~ 2ms（軟件可配置）

        系統(tǒng)過壓臨界電壓范圍：30V ~ 32V

        系統(tǒng)過壓濾波關(guān)閉時間范圍：3.8ms ~ 4.2ms

        過壓報故障濾波時間范圍：3.8ms ~ 4.2ms

    系統(tǒng)閾值滯后電壓范圍：4V ~ 5V

    檢測功能電壓范圍：27V

Tj溫度：-40 ~ +150℃。

封裝形式：LQFP64

功能安全等級：ASIL D

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40 ℃~ +125℃）,。

交付物：提交滿足考核指標(biāo)的用量1000片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊、用戶手冊,、功能安全手冊）和評估板,。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥100顆芯片工程樣品（Engineer Sample）及相關(guān)軟件驅(qū)動交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2025年1月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告,。

榜單金額：不超過600萬元。

010
電源類 四路攝像頭電源保護(hù)器

功能性能：

支持4路 600mA 保護(hù)開關(guān),、3V ~ 15V輸入電源,、3V ~5.5V器件工作電源、26 V電池短路隔離,、可調(diào)電流限制（100mA~ 600mA）,、用于更高電流的并行多通道，可配I2C地址,，支持0.5ms軟啟動,、0.25ms軟關(guān)斷、0.3μA關(guān)斷電流,、300mA時電壓降為 110mV,，支持并聯(lián)使用、支持中斷信號輸出,。安全應(yīng)用方面,，兼容ASIL-B，對 VBAT/GND 診斷短路,、輸出過壓/欠壓診斷,、輸入過壓/欠壓診斷、過流診斷,、過溫診斷,、通過I2C讀取各路8位電流、輸出電壓和供電讀數(shù),、發(fā)生故障時自動重試,。

輸入電壓范圍：3V ~ 15V

可調(diào)節(jié)電流限制：100mA ~ 600mA

欠壓遲滯：150mA

限流精度每通道：±8%

軟啟動時間：≤0.5ms

軟關(guān)斷時間：≤0.25ms

休眠電流：≤0.3μA

欠壓鎖定：2.7V

IIC總線頻率：≥1MHz

結(jié)溫(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封裝形式：TSDSO-20

功能安全等級：ASIL-B

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C~+125°C）。

交付物：滿足考核指標(biāo)的用量1500片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊,、用戶手冊、功能安全手冊）和評估板,。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程樣品（Engineer Sample）交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告。

榜單金額：不超過250萬元,。

011
電源類 具有低靜態(tài)電流雙路同步降壓控制器

功能性能：

具有低靜態(tài)電流3.5V ~ 65V雙路同步降壓控制器,、用于大電流單輸出或雙輸出的控制器。支持過流保護(hù),、獨立的 ENABLE 和 PGOOD功能,、VCC,、VDDA和柵極驅(qū)動 UVLO保護(hù)、帶滯后的熱關(guān)斷保護(hù),。支持同步輸入和同步輸出,、支持SSC。

輸入電壓范圍：3.5 V ~ 65 V

輸出電壓范圍：3.3V,、5V及0.6 ~ 55 V可調(diào)

開關(guān)頻率范圍：100 kHz ~ 2.2 MHz

導(dǎo)通時間：≤35ns

關(guān)斷時間：≤100ns

關(guān)斷模式電流：≤4 μA

空載待機(jī)電流：≤15 μA

環(huán)路補償1：557mV/μs（RRT = 10 k?）,；

環(huán)路補償2：64mV/μs（RRT = 100 k?）；

軟啟動電流：≤28μA

軟啟動下拉電阻：2? ~ 4?

抖動源電流/灌電流：21μA

抖動高電平閾值：1.25V

抖動低電平閾值：1.15V

結(jié)溫(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封裝形式：VQFN-40

功能安全等級：QM

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C ~ +125°C）,。

交付物：滿足考核指標(biāo)的用量1500片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊、用戶手冊,、功能安全手冊）,。評估板。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)-40°C ~ +150°C的第三方測試報告,。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程樣品（Engineer Sample）交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測試報告,。

榜單金額：不超過400萬元,。