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軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)、低功耗設(shè)計(jì)、可制造涉及、可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)；系統(tǒng)級(jí)芯片、關(guān)鍵IP核、EDA工具設(shè)計(jì)技術(shù)；系統(tǒng)解決方案設(shè)計(jì)技術(shù)。

2. 集成電路大規(guī)模生產(chǎn)工藝技術(shù)

主要技術(shù)內(nèi)容：

12英寸65nm、45/40nm、32//28nm成套公益平臺(tái)開(kāi)發(fā)；模擬、數(shù)模混合、MEMS、射頻、功率器件等特色工藝技術(shù)。

3. 集成電路封裝測(cè)試技術(shù)

主要技術(shù)內(nèi)容：

芯片級(jí)封裝（CSP）、原片級(jí)封裝（WLP）、多芯片封裝（MCP）、多元件封裝（MCO）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、硅穿孔技術(shù)（TSV）、高密度三維封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)及先進(jìn)測(cè)試技術(shù)。

4. 集成電路專(zhuān)用設(shè)備及材料技術(shù)

主要技術(shù)內(nèi)容：

刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、外延爐、平坦化設(shè)備、自動(dòng)化封裝系統(tǒng)等關(guān)鍵設(shè)備開(kāi)發(fā)；12英寸硅片、絕緣體上硅（SOI）材料、引線框架、光刻膠等關(guān)鍵材料開(kāi)發(fā)。

5. 高壓大功率電力電子器件工藝技術(shù)

主要技術(shù)內(nèi)容：

高壓大功率IGBT、FRD、MOSFET等電力電子期間的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、前道制造工藝、后道薄片工藝技術(shù)；器件少子壽命控制技術(shù)、可靠性和魯棒性相關(guān)技術(shù)；IPM模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)、封裝技術(shù)。

（二）平板顯示

1. TFT-LCD共性技術(shù)

主要技術(shù)內(nèi)容：

進(jìn)一步提升液晶面板的透過(guò)率和開(kāi)口率，增加產(chǎn)品的附加值；加快高效節(jié)能背光源的研發(fā)和應(yīng)用，在確保產(chǎn)品性能的前提下，簡(jiǎn)化生產(chǎn)工序，降低生產(chǎn)成本。注重玻璃基板、偏光片、驅(qū)動(dòng)IC等高世代TFT-LCD相關(guān)配套材料的技術(shù)開(kāi)發(fā)。

2. PDP共性技術(shù)

主要技術(shù)內(nèi)容：

圍繞高光效技術(shù)（高能效、低成本）、高清晰度技術(shù)（3D、動(dòng)態(tài)清晰度、超高清晰度）以及超薄技術(shù)方面進(jìn)行相關(guān)技術(shù)研發(fā)；研究新材料、新工藝、新驅(qū)動(dòng)波形、新型驅(qū)動(dòng)電路與控制軟件技術(shù)來(lái)提高PDP產(chǎn)品性能。

3. 有機(jī)發(fā)光顯示器OLED共性技術(shù)

主要技術(shù)內(nèi)容：

中大尺寸PM-OLED發(fā)光技術(shù)；大尺寸AM-OLED相關(guān)技術(shù)和工藝集成；高性能有機(jī)發(fā)光材料、蒸鍍?cè)O(shè)備、掩模板及驅(qū)動(dòng)IC等技術(shù)。

4. 先進(jìn)背板技術(shù)

主要技術(shù)內(nèi)容：

準(zhǔn)分子激光退火(ELA)技術(shù)；金屬誘導(dǎo)晶化(MIC)技術(shù)；固相結(jié)晶化(SPC)技術(shù)；氧化物TFT技術(shù)。以低溫多晶硅（LTPS）和氧化物TFT為重點(diǎn)的先進(jìn)背板技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用。LPTS以準(zhǔn)分子激光退火（ELA）技術(shù)、金屬誘導(dǎo)晶化（MIC）技術(shù)、固相結(jié)晶化（SPC）技術(shù)為主；氧化物以背板溝道刻蝕型（BCE）為主以低溫多晶硅（LTPS）和氧化物TFT為重點(diǎn)的先進(jìn)背板技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用。LPTS以準(zhǔn)分子激光退火（ELA）技術(shù)、金屬誘導(dǎo)晶化（MIC）技術(shù)、固相結(jié)晶化（SPC）技術(shù)為主；氧化物以背板溝道刻蝕型（BCE）為主。