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工作電壓(MOS開啟電壓)VS(OP):≥4.1 V
工作電壓(啟動(dòng))VS(UV):≥3.1 V
工作電壓VS:≤28 V
過電壓保護(hù) VDSCLAMP:≥35 V
休眠模式下的電流 (TJ = 85 °C) IVS:≤0.6 μA
最大工作電流 IGND:4 mA
最大導(dǎo)通電阻 (TJ = 150 °C) RDSON:2.47 mΩ
標(biāo)稱負(fù)載電流 (TA = 85 °C) IL(NOM):30 A
結(jié)溫(Tj) :-40°C ~ +150°C
封裝形式:TSDSO-24
功能安全等級(jí):QM
可靠性等級(jí):通過AEC-Q100車規(guī)級(jí)產(chǎn)品測(cè)試(工作溫度范圍區(qū)間在-40°C ~ +125°C)。
交付物:滿足考核指標(biāo)的用量1000片樣片,,并提供使用說明書(至少含芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)、用戶手冊(cè),、功能安全手冊(cè)),。評(píng)估板以及相關(guān)軟件驅(qū)動(dòng)。提供具有AEC-Q100檢測(cè)資質(zhì)的第三方測(cè)試報(bào)告,。
項(xiàng)目周期:
1.2023年12月前完成≥100片工程樣品(Engineer Sample)及相關(guān)軟件驅(qū)動(dòng)交付,。
2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品。
3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)(SOP)及相關(guān)測(cè)試報(bào)告,。
榜單金額:不超過400萬元,。
功能性能:
單通道智能高邊驅(qū)動(dòng)器,帶電流檢測(cè)模擬反饋,、非常低的待機(jī)電流,、兼容 3.0 V 和 5 V CMOS診斷功能過載和對(duì)地短路(電源限制)指示熱關(guān)斷指示,OFF 狀態(tài)開路負(fù)載檢測(cè),、輸出對(duì) VCC 檢測(cè)短路、感應(yīng)啟用/禁用,、保護(hù)支持欠壓關(guān)斷,、過壓鉗位,、負(fù)載電流限制。
瞬態(tài)電源電壓VCC:≤40 V
工作電壓范圍VCC:4 V~ 28 V
導(dǎo)通電阻(每通道)RON:≤4 mΩ
待機(jī)電流(最大值)ISTBY:0.5 μA
標(biāo)稱負(fù)載電流 (TA = 85 °C) IL(NOM):15A,。
結(jié)溫(Tj) :-40°C ~ +150°C
封裝形式:TSDSO-24
功能安全等級(jí):QM
可靠性等級(jí):通過AEC-Q100車規(guī)級(jí)產(chǎn)品測(cè)試(工作溫度范圍區(qū)間在-40°C~+125°C),。
交付物:滿足考核指標(biāo)的用量1000片樣片,并提供使用說明書(至少含芯片數(shù)據(jù)手冊(cè),、用戶手冊(cè),、功能安全手冊(cè))。評(píng)估板以及相關(guān)軟件驅(qū)動(dòng),。提供具有AEC-Q100檢測(cè)資質(zhì)的第三方測(cè)試報(bào)告,。
項(xiàng)目周期:
1.2023年12月前完成≥100片工程樣品(Engineer Sample)及相關(guān)軟件驅(qū)動(dòng)交付。
2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片