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）及底層軟件交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測(cè)試報(bào)告,。

榜單金額：不超過400萬元。

功能性能：

8路 MOSFET橋,，驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)多達(dá) 16 個(gè)外部 n 溝道 MOSFET（8通道半橋預(yù)驅(qū)）,，支持電源防反功能，提供輸出過流,、開路,、短電源、短地診斷功能,。

自適應(yīng)多級(jí) MOSFET 柵極控制,，具有2 個(gè)可配置增益的靈活電流檢測(cè)放大器（低側(cè)、高側(cè)能力和雙向）24 位串行外設(shè)接口,，用于反向電池保護(hù)的集成雙級(jí)泵,，用于硬短路檢測(cè)的漏源監(jiān)測(cè),，用于軟短路檢測(cè)的電流檢測(cè)監(jiān)控，過溫警告和關(guān)機(jī),，超時(shí)看門狗,，通過 SPI 進(jìn)行詳細(xì)的斷態(tài)診斷（負(fù)載開路、電池短路或 GND 短路）,，3 x PWM 輸入（高達(dá) 25kHz）,，能夠續(xù)流、睡眠模式低電流消耗,。

正常工作的電源電壓范圍：6.0V ~ 28V

擴(kuò)展電源電壓范圍：5.5V ~ 28V

電源電壓瞬變轉(zhuǎn)換率：上升/下降速率不低于10V/μs

邏輯電源電壓：3.0V ~ 5.5V

結(jié)溫(Tj) ：-40°C ~ +150°C

絕對(duì)最大額定值:

電源電壓：-0.3V ~ 40V

PWM輸入電壓：-0.3V ~ 40V

邏輯輸入電壓：-0.3V ~ vdd+0.3V

電流檢測(cè)放大器的同相輸入,、反相輸入電壓：-0.8V ~ 8V

柵極驅(qū)動(dòng)器動(dòng)態(tài)預(yù)充電時(shí)間：150ns ~ 250ns

柵極驅(qū)動(dòng)器動(dòng)態(tài)預(yù)放電時(shí)間：150ns ~ 250ns

封裝形式：QFN-48

功能安全等級(jí)：QM

可靠性等級(jí)：通過AEC-Q100車規(guī)級(jí)產(chǎn)品測(cè)試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C~+125°C）。

交付物：滿足考核指標(biāo)的用量1000片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊(cè),、用戶手冊(cè)、功能安全手冊(cè)）,、評(píng)估板以及相關(guān)軟件驅(qū)動(dòng),。提供具有AEC-Q100檢測(cè)資質(zhì)的第三方測(cè)試報(bào)告。

項(xiàng)目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程樣品（Engineer Sample）及相關(guān)軟件驅(qū)動(dòng)交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標(biāo)數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關(guān)測(cè)試報(bào)告。

榜單金額：不超過400萬元,。

功能性能：

單通道高邊驅(qū)動(dòng),，具有診斷和嵌入式保護(hù)功能的高邊開關(guān)。VS具有欠壓檢測(cè)功能,。支持過流保護(hù)功能,。