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+科技金融

揭榜任務(wù)：面向多類金融風(fēng)險檢測及分析的復(fù)雜計算場景，研究基于量子計算架構(gòu)的金融風(fēng)險分析控制新范式，研發(fā)風(fēng)險模型相關(guān)的量子機器學(xué)習(xí)、隨機模擬、組合優(yōu)化、圖計算等算法，突破金融風(fēng)險算力瓶頸，完成理論優(yōu)勢論證及端到端資源分析，實現(xiàn)真機部署上線。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，研發(fā)量子金融專用算法及量子啟發(fā)式算法不少于5種，實現(xiàn)典型風(fēng)控應(yīng)用5種以上，提出不少于5種相比傳統(tǒng)算法具有多項式級復(fù)雜度加速功能的算法，并實現(xiàn)理論證明。基于金融機構(gòu)真實場景數(shù)據(jù)在硬件上部署驗證不少于3種。

附件2

原子級制造揭榜掛帥任務(wù)榜單

一、核心基礎(chǔ)

（一）原子層沉積工藝仿真平臺

揭榜任務(wù)：原子層沉積是能源、化工和高端電子器件領(lǐng)域的關(guān)鍵核心工藝。當(dāng)前新工藝摸索周期長成本高，材料生長質(zhì)量難以控制。因此需發(fā)展高精度仿真技術(shù)，耦合各原子尺度與介觀尺度仿真方法，模擬真實生長/刻蝕過程中前驅(qū)體分子與基底的反應(yīng)過程，沉積/刻蝕過程及后退火過程。通過仿真研究不同前驅(qū)體、反應(yīng)溫度和壓力等工藝參數(shù)對薄膜沉積質(zhì)量的影響，優(yōu)化工藝參數(shù)。利用仿真結(jié)果預(yù)測沉積薄膜的結(jié)構(gòu)、電子性質(zhì)和機械性能，為新工藝探索提供指導(dǎo)。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，面向Si/SiO₂等襯底的高介電常數(shù)氧化物的原子級沉積，如Hf(Zr)O₂，Al₂O₃，開發(fā)ALD仿真平臺，包含吸附、脫附模塊，材料生長模塊，薄膜質(zhì)量評估模塊等。平臺能夠?qū)崿F(xiàn)10nm厚10萬原子秒級時間材料生長模擬，模擬的關(guān)鍵工藝參數(shù)不少于3個。對ALD生長速度的計算準(zhǔn)確度達到90%以上，大深寬比（10:1）沉積的臺階覆蓋度預(yù)測準(zhǔn)確度達到90%以上。

（二）異質(zhì)多晶材料的原子級平坦化工藝研究

揭榜任務(wù)：面向微電子元器件異質(zhì)互連結(jié)構(gòu)、多晶材料等的原子級精度制造需求，建立能量限域調(diào)控作用下異質(zhì)、多晶材料表面原子級拋光和亞表面損傷層控制技術(shù)，發(fā)展原子尺度制造過程的原位動態(tài)表征方法，形成宏觀尺度互連異質(zhì)表面原子層去除一致控制的拋光工藝、技術(shù)與裝備，實現(xiàn)4英寸及以上尺寸的典型材料原子級拋光和亞表面近零損傷控制。

考核指標(biāo)：到2026年，實現(xiàn)4英寸及以上尺寸的典型材料表面原子級精度及亞表面近零損傷制造與原位動態(tài)表征，針對典型異質(zhì)、多晶材料的原子級拋光，實現(xiàn)表面粗糙度Ra小于2?，亞表面損傷層≤20層原子，單次制造幅面10×10μm內(nèi)面形精度優(yōu)于10?，原位動態(tài)觀測與表征的空間分辨率優(yōu)于1?。

（三）面向原子級對準(zhǔn)的原子層沉積工藝研究

揭榜任務(wù)：面向先進節(jié)點的對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)制造套刻誤差比重增大、可靠性下降問題，發(fā)展表面區(qū)域選擇性鈍化與活化改性的選區(qū)沉積技術(shù)，突破非生長區(qū)表面形核缺陷選擇性去除技術(shù)，形成先進互連介電層表面電介質(zhì)材料高可靠性、精簡步驟選區(qū)沉積工藝與技術(shù)。