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揭榜任務(wù)：面向多類(lèi)金融風(fēng)險(xiǎn)檢測(cè)及分析的復(fù)雜計(jì)算場(chǎng)景,，研究基于量子計(jì)算架構(gòu)的金融風(fēng)險(xiǎn)分析控制新范式,，研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)模型相關(guān)的量子機(jī)器學(xué)習(xí),、隨機(jī)模擬、組合優(yōu)化,、圖計(jì)算等算法,，突破金融風(fēng)險(xiǎn)算力瓶頸，完成理論優(yōu)勢(shì)論證及端到端資源分析,，實(shí)現(xiàn)真機(jī)部署上線(xiàn),。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，研發(fā)量子金融專(zhuān)用算法及量子啟發(fā)式算法不少于5種，實(shí)現(xiàn)典型風(fēng)控應(yīng)用5種以上,，提出不少于5種相比傳統(tǒng)算法具有多項(xiàng)式級(jí)復(fù)雜度加速功能的算法,，并實(shí)現(xiàn)理論證明?；诮鹑跈C(jī)構(gòu)真實(shí)場(chǎng)景數(shù)據(jù)在硬件上部署驗(yàn)證不少于3種。

附件2

原子級(jí)制造揭榜掛帥任務(wù)榜單

一,、核心基礎(chǔ)

（一）原子層沉積工藝仿真平臺(tái)

揭榜任務(wù)：原子層沉積是能源,、化工和高端電子器件領(lǐng)域的關(guān)鍵核心工藝。當(dāng)前新工藝摸索周期長(zhǎng)成本高,，材料生長(zhǎng)質(zhì)量難以控制,。因此需發(fā)展高精度仿真技術(shù)，耦合各原子尺度與介觀尺度仿真方法,，模擬真實(shí)生長(zhǎng)/刻蝕過(guò)程中前驅(qū)體分子與基底的反應(yīng)過(guò)程,，沉積/刻蝕過(guò)程及后退火過(guò)程。通過(guò)仿真研究不同前驅(qū)體,、反應(yīng)溫度和壓力等工藝參數(shù)對(duì)薄膜沉積質(zhì)量的影響,，優(yōu)化工藝參數(shù)。利用仿真結(jié)果預(yù)測(cè)沉積薄膜的結(jié)構(gòu),、電子性質(zhì)和機(jī)械性能,，為新工藝探索提供指導(dǎo)。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年,，面向Si/SiO₂等襯底的高介電常數(shù)氧化物的原子級(jí)沉積,，如Hf(Zr)O₂，Al₂O₃,，開(kāi)發(fā)ALD仿真平臺(tái),，包含吸附、脫附模塊,，材料生長(zhǎng)模塊,，薄膜質(zhì)量評(píng)估模塊等。平臺(tái)能夠?qū)崿F(xiàn)10nm厚10萬(wàn)原子秒級(jí)時(shí)間材料生長(zhǎng)模擬,，模擬的關(guān)鍵工藝參數(shù)不少于3個(gè),。對(duì)ALD生長(zhǎng)速度的計(jì)算準(zhǔn)確度達(dá)到90%以上，大深寬比（10:1）沉積的臺(tái)階覆蓋度預(yù)測(cè)準(zhǔn)確度達(dá)到90%以上,。

（二）異質(zhì)多晶材料的原子級(jí)平坦化工藝研究

揭榜任務(wù)：面向微電子元器件異質(zhì)互連結(jié)構(gòu),、多晶材料等的原子級(jí)精度制造需求，建立能量限域調(diào)控作用下異質(zhì),、多晶材料表面原子級(jí)拋光和亞表面損傷層控制技術(shù),，發(fā)展原子尺度制造過(guò)程的原位動(dòng)態(tài)表征方法，形成宏觀尺度互連異質(zhì)表面原子層去除一致控制的拋光工藝、技術(shù)與裝備,，實(shí)現(xiàn)4英寸及以上尺寸的典型材料原子級(jí)拋光和亞表面近零損傷控制,。

考核指標(biāo)：到2026年，實(shí)現(xiàn)4英寸及以上尺寸的典型材料表面原子級(jí)精度及亞表面近零損傷制造與原位動(dòng)態(tài)表征,，針對(duì)典型異質(zhì),、多晶材料的原子級(jí)拋光，實(shí)現(xiàn)表面粗糙度Ra小于2?,，亞表面損傷層≤20層原子,，單次制造幅面10×10μm內(nèi)面形精度優(yōu)于10?，原位動(dòng)態(tài)觀測(cè)與表征的空間分辨率優(yōu)于1?,。

（三）面向原子級(jí)對(duì)準(zhǔn)的原子層沉積工藝研究

揭榜任務(wù)：面向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)制造套刻誤差比重增大,、可靠性下降問(wèn)題，發(fā)展表面區(qū)域選擇性鈍化與活化改性的選區(qū)沉積技術(shù),，突破非生長(zhǎng)區(qū)表面形核缺陷選擇性去除技術(shù),，形成先進(jìn)互連介電層表面電介質(zhì)材料高可靠性、精簡(jiǎn)步驟選區(qū)沉積工藝與技術(shù),。