Email:[email protected]
預(yù)期目標(biāo):到2026年,建立選擇性原子層沉積形核模型,完成基于互連對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)介質(zhì)層表面選擇性沉積工藝體系,;在兩類(lèi)以上金屬與介電材料體系內(nèi)開(kāi)發(fā)出選擇性>99.9%,,實(shí)現(xiàn)單層可控生長(zhǎng),生長(zhǎng)區(qū)膜厚>6nm,,非生長(zhǎng)區(qū)檢測(cè)無(wú)缺陷,,并在12寸原子層沉積機(jī)臺(tái)完成驗(yàn)證,推廣產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,。
(四)強(qiáng)光光學(xué)元件原子級(jí)缺陷調(diào)控及修復(fù)技術(shù)
揭榜任務(wù):面向極端服役強(qiáng)光光學(xué)元件原子級(jí)缺陷和損傷控制需求,突破原子級(jí)缺陷形性參量表征,、復(fù)合能場(chǎng)選擇性精準(zhǔn)調(diào)控,、缺陷環(huán)簇/點(diǎn)位高效可控修復(fù)及抗激光損傷性能評(píng)價(jià)等關(guān)鍵技術(shù),研發(fā)原子級(jí)缺陷精確表征與可控修復(fù)原理樣機(jī),,實(shí)現(xiàn)強(qiáng)光光學(xué)元件制造過(guò)程中的缺陷調(diào)控和修復(fù),,提升高精度光學(xué)元件在強(qiáng)激光極端服役條件下的抗損傷能力。
預(yù)期目標(biāo):到2026年,,完成原子級(jí)缺陷高效可控修復(fù)原理驗(yàn)證平臺(tái)的開(kāi)發(fā)工作,,具備原子級(jí)缺陷高置信度表征、局域選擇性可控修復(fù)及抗激光損傷性能評(píng)估等能力,,可有效修復(fù)原子級(jí)缺陷類(lèi)型≥5種,,能夠在口徑大于300mm的尺寸范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原子級(jí)缺陷損傷的修復(fù),修復(fù)后元件激光誘導(dǎo)損傷閾值提升50%以上,,并在損傷測(cè)試平臺(tái)上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,。
(五)原子級(jí)金屬粉體宏量開(kāi)發(fā)
揭榜任務(wù):通過(guò)自主研發(fā)精密設(shè)備,將原料金屬制備成比當(dāng)前納米粉體更細(xì)的原子級(jí)粉體,,可實(shí)現(xiàn)粉體的熔點(diǎn)大幅下降和表面原子占比的大幅提高,,這使得該粉體可以支撐更低溫的工件焊接。
預(yù)期目標(biāo):到2026年,,原子級(jí)金屬粉體可在金屬焊接,、粉末冶金、3D打印,、醫(yī)療器械,、一體成型等領(lǐng)域應(yīng)用。每天提供公斤級(jí)粉體,,粉體中90%以上的顆粒,,單顆粒包含原子數(shù)少于1000,部分高檔原子級(jí)粉體少于200,,驗(yàn)證多種焊接和加工場(chǎng)景溫度的急劇下降(下降20%以上),,建立原子級(jí)金屬粉體的工藝評(píng)價(jià)指標(biāo)體系和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
(六)粉體原子級(jí)包覆技術(shù)與裝備
揭榜任務(wù):面向粉體含能材料表面原子級(jí)致密鈍化層的制造需求,,開(kāi)展粉體原子層包覆工藝研究,,突破材料顆粒解團(tuán)聚,、前驅(qū)體定量輸出和反應(yīng)原位監(jiān)測(cè)等關(guān)鍵技術(shù),形成批量化粉體表面原子級(jí)制造工藝,、技術(shù)與裝備,。
預(yù)期目標(biāo):到2026年,完成批量化粉體表面原子級(jí)制造裝備研制,,實(shí)現(xiàn)粉體表面厚度<1nm薄膜沉積,,粉體比表面積保持率大于95%,批處理能力大于10kg/批次,,一致性大于95%,,推動(dòng)原子級(jí)制造技術(shù)在核能、氫能等綠色能源的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,。
二,、重點(diǎn)產(chǎn)品
(一)多場(chǎng)輔助化學(xué)機(jī)械原子級(jí)拋光裝備
揭榜任務(wù):面向半導(dǎo)體襯底原子尺度拋得光、納米尺度拋得平,、微米尺度拋得快的高質(zhì)高效加工需求,,研究電、光,、聲,、等離子體等多場(chǎng)輔助化學(xué)機(jī)械原子級(jí)去除工藝,突破多場(chǎng)輔助協(xié)同調(diào)控,、超低壓力分區(qū)加壓,、測(cè)量反饋智能控制等關(guān)鍵技術(shù),開(kāi)發(fā)多場(chǎng)輔助化學(xué)機(jī)械拋光裝備,,實(shí)現(xiàn)原子級(jí)精度拋光,,滿足半導(dǎo)體襯底應(yīng)用需求。