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預(yù)期目標(biāo)：到2026年，建立選擇性原子層沉積形核模型，完成基于互連對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)介質(zhì)層表面選擇性沉積工藝體系；在兩類以上金屬與介電材料體系內(nèi)開發(fā)出選擇性>99.9%，實現(xiàn)單層可控生長，生長區(qū)膜厚>6nm，非生長區(qū)檢測無缺陷，并在12寸原子層沉積機臺完成驗證，推廣產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

（四）強光光學(xué)元件原子級缺陷調(diào)控及修復(fù)技術(shù)

揭榜任務(wù)：面向極端服役強光光學(xué)元件原子級缺陷和損傷控制需求，突破原子級缺陷形性參量表征、復(fù)合能場選擇性精準(zhǔn)調(diào)控、缺陷環(huán)簇/點位高效可控修復(fù)及抗激光損傷性能評價等關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)原子級缺陷精確表征與可控修復(fù)原理樣機，實現(xiàn)強光光學(xué)元件制造過程中的缺陷調(diào)控和修復(fù)，提升高精度光學(xué)元件在強激光極端服役條件下的抗損傷能力。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，完成原子級缺陷高效可控修復(fù)原理驗證平臺的開發(fā)工作，具備原子級缺陷高置信度表征、局域選擇性可控修復(fù)及抗激光損傷性能評估等能力，可有效修復(fù)原子級缺陷類型≥5種，能夠在口徑大于300mm的尺寸范圍內(nèi)實現(xiàn)原子級缺陷損傷的修復(fù)，修復(fù)后元件激光誘導(dǎo)損傷閾值提升50%以上，并在損傷測試平臺上進行實驗驗證。

（五）原子級金屬粉體宏量開發(fā)

揭榜任務(wù)：通過自主研發(fā)精密設(shè)備，將原料金屬制備成比當(dāng)前納米粉體更細的原子級粉體，可實現(xiàn)粉體的熔點大幅下降和表面原子占比的大幅提高，這使得該粉體可以支撐更低溫的工件焊接。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，原子級金屬粉體可在金屬焊接、粉末冶金、3D打印、醫(yī)療器械、一體成型等領(lǐng)域應(yīng)用。每天提供公斤級粉體，粉體中90%以上的顆粒，單顆粒包含原子數(shù)少于1000，部分高檔原子級粉體少于200，驗證多種焊接和加工場景溫度的急劇下降（下降20%以上），建立原子級金屬粉體的工藝評價指標(biāo)體系和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

（六）粉體原子級包覆技術(shù)與裝備

揭榜任務(wù)：面向粉體含能材料表面原子級致密鈍化層的制造需求，開展粉體原子層包覆工藝研究，突破材料顆粒解團聚、前驅(qū)體定量輸出和反應(yīng)原位監(jiān)測等關(guān)鍵技術(shù)，形成批量化粉體表面原子級制造工藝、技術(shù)與裝備。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，完成批量化粉體表面原子級制造裝備研制，實現(xiàn)粉體表面厚度<1nm薄膜沉積，粉體比表面積保持率大于95%，批處理能力大于10kg/批次，一致性大于95%，推動原子級制造技術(shù)在核能、氫能等綠色能源的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

二、重點產(chǎn)品

（一）多場輔助化學(xué)機械原子級拋光裝備

揭榜任務(wù)：面向半導(dǎo)體襯底原子尺度拋得光、納米尺度拋得平、微米尺度拋得快的高質(zhì)高效加工需求，研究電、光、聲、等離子體等多場輔助化學(xué)機械原子級去除工藝，突破多場輔助協(xié)同調(diào)控、超低壓力分區(qū)加壓、測量反饋智能控制等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)多場輔助化學(xué)機械拋光裝備，實現(xiàn)原子級精度拋光，滿足半導(dǎo)體襯底應(yīng)用需求。