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預(yù)期目標(biāo)：到2026年，研制模塊化的多場輔助化學(xué)機(jī)械原子級拋光裝備，可以集成電、光、聲、等離子體等多場，拋光壓力調(diào)控精度0.1psi，拋光壓力分區(qū)數(shù)量6個(gè)，利用該設(shè)備對單晶硅襯底進(jìn)行拋光，表面起伏小于10個(gè)原子層，滿足先進(jìn)制程需求。

（二）高效團(tuán)簇離子束原子級拋光裝備的研發(fā)及在大徑厚比金剛石光學(xué)窗口的加工應(yīng)用

揭榜任務(wù)：面向高功率激光系統(tǒng)、中長波紅外探測器等對原子級表面精度的金剛石窗口需求，突破氣體原子團(tuán)簇束流中和關(guān)鍵技術(shù)，建立原子級超光滑金剛石表面制造方法，研制超硬金剛石團(tuán)簇離子束原子級拋光裝備，實(shí)現(xiàn)大徑厚比金剛石光學(xué)窗口的原子級制造，并應(yīng)用驗(yàn)證。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，高性能、低成本的束流中和器自主可控，具有較高的中和效率，對Ar₁₀₀團(tuán)簇中和效率>50%，研制金剛石材料團(tuán)簇離子束原子級拋光裝備，建立金剛石光學(xué)窗口納米級精度及原子級表面質(zhì)量制造工藝，加工金剛石光學(xué)窗口直徑≥75mm、徑厚比≥100、表面面形精度PV≤λ/4、表面粗糙度Ra≤1nm，設(shè)備支持Ar/SF₆等多種氣體團(tuán)簇離子束、束流強(qiáng)度≥100μA、團(tuán)簇束斑直徑0.5-10mm可調(diào)、團(tuán)簇離子能量≥60keV，能夠支撐3英寸級金剛石光學(xué)窗口原子級可控制造。

（三）原子級精度X射線反射鏡

揭榜任務(wù)：面向X射線掠入射反射鏡對表面全頻段誤差的極端精度需求，突破X射線反射鏡原子級精度加工關(guān)鍵技術(shù)；研發(fā)以等離子體加工和彈性發(fā)射加工為核心技術(shù)的原子級精度X射線反射鏡加工工藝；研制等離子體與彈性發(fā)射加工裝備，并開發(fā)誤差高效收斂算法；推動自主加工的高精度X射線反射鏡在同步輻射和自由電子激光裝置的應(yīng)用。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，完成400mm尺寸X射線反射鏡加工裝備的研制，滿足面型精度RMS優(yōu)于2nm，斜率誤差優(yōu)于RMS 0.2μrad，表面粗糙度RMS優(yōu)于0.1nm。自主加工的X射線反射鏡在同步輻射和自由電子激光裝置上得到應(yīng)用。

（四）原子級分散的金屬制劑

揭榜任務(wù)：針對傳統(tǒng)植保制劑的藥害風(fēng)險(xiǎn)高、與其他農(nóng)藥混配難度高、以及金屬殘留嚴(yán)重和橡膠制備使用過量氧化鋅的污染問題，采用原子級分散工藝，降低金屬的用量，實(shí)現(xiàn)相關(guān)領(lǐng)域產(chǎn)品國產(chǎn)化。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，分別實(shí)現(xiàn)三款以上原子級分散金屬制劑/助劑用于植保制劑、橡膠制備等領(lǐng)域。制劑中金屬的原子級分散率高于95%；用于植保的殺菌銅制劑銅用量降低80%以上，施用后銅殘留降低90%以上；完成實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證與大田實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)面積不低于100萬畝；用于橡膠硫化助劑的金屬鋅用量降低